Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 16: Rastersondentechniken (II)
O 16.6: Vortrag
Dienstag, 28. März 2000, 12:30–12:45, H44
Dotierprofilanalyse von Halbleitermikrostrukturen mittels Scanning Spreading Resistance Microscopy — •V. Hagen, A. Born, J. Isenbart, and R. Wiesendanger — Universität Hamburg, Institut für Angewandte Physik, Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg
Zur Dotierprofilanalyse der nächsten Generationen von Halbleiterbauelementen werden Meßverfahren mit einer lateralen Ortsauflösung im Bereich weniger Nanometer benötigt. Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) ist gegenwärtig, neben der Rasterkapazitäts-mikroskopie (SCM), eines der wenigen Verfahren, die diese Anforderungen theoretisch erfüllen. Die vorliegende Arbeit untersucht die experimentellen Voraussetzungen insbesondere im Bereich der Spitzenauswahl, der Probenpräparation und der zum Erreichen stabiler Spitze-Probe- Kontakte notwendigen Auflagekräfte. Mit hochdotierten diamantbeschichteten Cantilevern werden bei Auflagekräften von einigen 10µN Dotierprofile von homogenen Teststrukturen und von pn-Übergängen realer Devices im Bereich von 1015−1020cm−3 mit einer lateralen Auflösung unter 100nm abgebildet. Der eingesetzte logarithmische Stromverstärker ermöglicht es, Kontaktströme dynamisch über 8 Größenordnungen zu messen (10−10−10−2A). Die experimentellen Ergebnisse führen zusammen mit Simulationsrechnungen zu einer Beurteilung der gegenwärtigen Einsatzmöglichkeiten und des zukünftigen Potentials der Meßmethode.