Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

O: Oberflächenphysik

O 19: Epitaxie und Wachstum (IV)

O 19.2: Talk

Tuesday, March 28, 2000, 16:30–16:45, H36

Wachstum ultradünner V-Filme auf Pd(111) — •Ch. KONVICKA, E. LUNDGREN, M. SCHMID und P. VARGA — Inst.f.allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstr. 8-10, A-1040 Wien, Austria

Die elektronischen und geometrischen Eigenschaften von Vanadium und V-Verbindungen wurden in der Vergangenheit nur wenig untersucht. Um die elektronischen Eigenschaften (wie z.B. die Adsorptionsenergie von Molekülen), die von der V-Konzentration an der Oberfläche von V-Verbindungen abhängig sind besser zu verstehen, ist es wichtig, die geometrischen Eigenschaften genauer zu untersuchen. Daher wurden ultradünne V-Filme bei Temperaturen zwischen RT und 550^∘C auf eine Pd(111) Oberfläche aufgedampft. Mit Hilfe von Scanning Tunneling Microscopy (STM), Auger Electron Spectroscopy (AES), Low Energy Ion Scattering (LEIS) und X-ray Photoelectron Diffraction (XPD) wurde die Bildung einer V/Pd-Legierung untersucht. Es hat sich gezeigt, daß der V/Pd Austauschprozeß an der Oberfläche bis zu Temperaturen von 150^∘C bevorzugt stattfindet. Höhere Temperaturen führen zur Diffusion der V-Atome unter die Oberfläche und zur Bildung einer subsurface-Legierung. Bei 300^∘C konnte eine geordnete, vom Vanadium induzierte, (√3x√3)R30^∘-Struktur mit STM nachgewiesen werden.