Regensburg 2000 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 20: Elektronische Struktur (II)

O 20.5: Talk

Tuesday, March 28, 2000, 17:15–17:30, H37

Atomare und elektronische Struktur von kubischen SiC Oberflächen — •J. Pollmann, W. Lu und P. Krüger — Institut für Theoretische Physik II - Festkörperphysik, Universität Münster, D-48149 Münster

Die atomare und elektronische Struktur von SiC Oberflächen ist seit einigen Jahren Gegenstand intensiver experimenteller und theoretischer Untersuchungen. Im Experiment wurden viele oberflächensensitive Methoden, wie z.B. LEED, EELS, STM, PED, ARPES, KRIPES und CLS angewendet und in der Theorie sind in den letzten fünf Jahren mehrere ab-initio Berechnungen der geometrischen und der elektronischen Struktur für eine Vielzahl von SiC Oberflächen durchgeführt worden.

In diesem Beitrag stellen wir neueste Ergebnisse unserer LDA Berechnungen für einige kubische Oberflächen von SiC vor. Zum einen haben wir die C-terminierte SiC(001) Oberfläche im Vergleich mit neuesten experimentellen Daten [1] analysiert. Darüberhinaus haben wir die atomare und die elektronische Strukur von Si-terminierten SiC Oberflächen, u.z. der c(4×2) und mehrerer (N×2) Oberflächen mit N = 2, 3 und 5 studiert. Aus unseren Ergebnissen lassen sich als Basiselemente für den Aufbau von (N×2) Rekonstruktionen in einer Adlage adsorbierte Si Dimere und/oder in zwei Adlagen adsorbierte Si Hexamere extrahieren, mit deren Hilfe sich auch die Oberflächen mit größeren N konstruieren lassen. Interessanterweise zeigt sich in bester Übereinstimmung mit experimentellen Ergebnissen, dass es Rekonstruktionen dieses Typs nicht für alle N gibt.

[1] Yeom et al., Phys. Rev. Lett. 83, 1640 (1999)