Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 20: Elektronische Struktur (II)

O 20.6: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 17:30–17:45, H37

Ab initio Theorie zur Adsorption von Xe an Metalloberflächen — •Wolfgang Mannstadt — Fachbereich Physik, Philipps Universität Marburg

Xe Atomen physisorbieren aufgrund einer schwachen van der Waals Wechselwirkung auf Metalloberflächen. Man erwartet daher eine atomähnliche Elektronenkonfiguration der adsorbierten Xe Atome und damit wenig Änderung der physikalischen Eigenschaften adsorbierter Xe Atome zu denen von atomarem Xe. Jüngere NMR Messungen[1] von Xe auf Pt Kristallen stehen hingegen im Widerspruch zu diesem Bild. Die Messung einer kurze Relaxationszeit T₁ bedeutet eine hohe lokale s-Zustandsdichte an der Fermie Energier. Dagegen hätte abgesättigtes atomares s Orbital im Xe eine undendlich lange T₁ Zeit.

Eine detailierte Beschreibung der Xe Adsorption auf Metalloberflächen im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie wird in diesem Vortrag dargestellt. Mittels der sehr genauen all electron FLAPW Methode[2] wurde die Adsorption von Xe auf Pt(111), Ag(111) und Cs/Pt(111) Oberflächen in einer √3 × √3 R(30^o) Struktur untersucht. Für den jeweils geometrieotimierten Bindungszustand der Xe Atome sind die elektronischen Eigenschaften, sowie die LDOS am Xe Kernort, Austrittsarbeitsänderungen und Adsorptionsenergien bestimmt worden. Die aus der LDOS resultierenden T₁ Zeiten stimmen dabei gut mit den experimentellen Werten überein. Gründe hierfür weden im Detail diskutiert.

[1] A.Bifone et al., Phys. Rev. Lett. 74 (1995), 3277

[2] E.Wimmer et al., Phys. Rev. B 24, 864 (1981)

[*] unterstützt von John von Neumann Institut für Computing, Jülich