Regensburg 2000 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 21: Oberflächenreaktionen (II)

O 21.2: Talk

Tuesday, March 28, 2000, 16:30–16:45, H44

Bestimmung der Aktivierungsenergie der Diffusion von Sauerstoff in Vanadium — •Hubert Paulus¹, Gabor Kiss², Karl-Heinz Müller^1,3 und Janos Giber² — ¹Inst f Techn.- und Wissenstransfer, Lübecker Ring 2, 59494 Soest — ²TU of Budapest, Dept. of Atomic Physics, Budapest, Budafoki ut 8, H-1111 Hungary — ³FB El.- Energietechnik der Hochschulabt Soest d Universität - GH Paderborn, Lübecker Ring 2, 59494 Soest

Bei der Beladung von Vanadium mit Wasserstoff im UHV ist die Anwesenheit von Sauerstoff von essentieller Bedeutung. Aus der Gasphase adsorbierter O behindert dabei eine H-Aufnahme, es kann aber auch eine Einschränkung der Aufnahme durch segregierten O gefunden werden.

Die O-Segregation in V wurde mit SIMS und XPS untersucht. Die zuvor durch Beschuss mit Ar-Ionen gereinigte V-Probe (12×6×0.125 mm³, O-Gehalt ≈ 230 ppm) wurde schrittweise von 300^∘C auf 550^∘C hochgeheizt und die O-Anreicherung mit XPS beobachtet. Bereits bei einer Temperatur von 300^∘C kann eine Zunahme des O1s Peaks festgestellt werden, jedoch sind dabei keine energetische Verschiebung und keine Formänderung von O1s - und V2p_3/2 -Peak detektierbar.

Die sich bei Temperaturen zwischen 350^∘C und 750^∘C einstellenden O-Konzentrationstiefenprofile wurden mit SIMS untersucht. Mit Hilfe eines Ansatzes zur Segregationskinetik aus der Literatur (1) wird aus den temperaturabhängigen O⁻- Tiefenprofilen die Aktivierungsenergie der O - Diffusion im Segregationsprozess zu 1.3 eV bestimmt.

[(] 1) (Lea C, and Seah MP: (1977) Phil Mag 35: 213)