Regensburg 2000 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 22: Adsorption an Oberflächen (IV)
O 22.11: Talk
Wednesday, March 29, 2000, 17:00–17:15, H36
Schwingungsspektroskopische Untersuchung der Adsorption von Butadien auf Si(001)-(2×1) — •I. Schwaiger1,2, B. Naydenov1, D. Menzel1 und W. Widdra1 — 1Physik-Department E20, Technische Universität München, D-85747 Garching — 2Fachbereich Physik, Technische Universität Ilmenau, D-98684 Ilmenau
Die Adsorption von Butadien wurde auf der Si(100)-(2×1)-Oberfläche mittels HREELS und TPD untersucht. Für Butadienbedeckungen bis zu einem Drittel der Sättigungsbedeckung wird eine einzige Adsorbatspezies bei Adsorption in einem Temperaturbereich zwischen 25 und 300 K beobachtet. Sie ist bis etwa 400 K thermisch stabil und dissoziiert bei höheren Temperaturen unter Abspaltung von Wasserstoff. Die detaillierte Analyse des komplexes Schwingungsspektrums für drei verschieden deuterierte Butadienmoleküle zeigt, daß es sich um eine an die beiden ’dangling bonds’ eines Si-Si Dimers di-σ gebundene -C-C=C-C- Struktur handelt. Bei höheren Bedeckungen kann eine weitere Adsorbatspezies klar identifiziert werden, bei der eine di-σ-Bindung zwischen den ersten beiden Kohlenstoffatomen des Moleküls und dem Si-Si Dimer ausgebildet wird.