Regensburg 2000 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 22: Adsorption an Oberflächen (IV)
O 22.12: Talk
Wednesday, March 29, 2000, 17:15–17:30, H36
Rasterkraftmikroskopie an dünnen organischen und metallischen Schichten auf Silizium — •M. Reiniger1, N. Niermann1, M. Schleberger1, B. Basnar2 und G. Friedbacher2 — 1Universität Osnabrück, FB Physik, 49069 Osnabrück — 2Technische Universität Wien, 1060 Wien, Österreich
Wir untersuchen die Möglichkeit, selbstorganisierte organische Monolagen (self-assembled monolayers, SAM) als Masken für die kontrollierte Strukturierung von Metallen auf Siliziumsubstraten zu benutzen. Dazu präparieren wir Siliziumsubstrate sowohl in Luft als auch unter Ultra-Hoch-Vakuum-Bedingungen. Für die Präparation der organischen Filme verwenden wir Octadecylsiloxane (OTS), das eine ausgeprägte Tendenz zur Selbstorganisation zeigt.
Die Beschichtung wird vor der vollständigen Bedeckung abgebrochen, damit eine charaktersitisches Inselbild entsteht. Dei metallischen Filme
(Fe) sind auf verschieden präparierte Si-Oberflächen und die OTS-beschichtetetn Si-Wafer im UHV mittels MBE aufgedampft. Wachstum und
Struktur wurden mittels dynamischem AFM in UHV und an Luft untersucht.