Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 23: Elektronische Struktur (III)

O 23.10: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 16:45–17:00, H37

Zeitaufgelöste Zweiphotonenphotoemissions-Untersuchung der Si(100)2×1 Oberfläche — •C. Kentsch, M. Kutschera, M. Weinelt und Th. Fauster — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen

Wir haben die Si(100)2×1 Oberfläche mit zeitaufgelöster bichromatischer (1hν-3hν) und monochromatischer (3hν−3hν) Zweiphotonenphotoemission (2PPE) untersucht. Für k_∥=0 werden drei unterschiedliche Übergänge beobachtet, deren Charakter durch Variation der Photonenenergie (hν = 1.48 - 1.59 eV) untersucht wurde. Bei bichromatischer Anregung wird nur ein prominenter Übergang beobachtet, dessen Intensität im Bereich kurzer Wellenlängen resonanzartig ansteigt und dessen kinetische Energie ∝ 3-4 × Δ hν variiert. Die Intensität des entsprechenden Übergangs bei monochromatischer Anregung ist unabhängig von der Photonenenergie und kann einem besetzten Anfangszustand zugeordnet werden. Dies legt im Falle bichromatischer Anregung eine wellenlängenabhängige Kombination aus 3−1 und 1−3 Pump-Probe Prozessen nahe. In letzterem Fall werden unbesetzte Zustände nahe der Leitungsbandunterkante geprobt. Erste zeitaufgelöste Messungen ergeben Lebensdauern des Zwischenzustands ≥ 10 fs. Die monochromatischen 2PPE Spektren weisen zwei zusätzliche Doppelpeakstrukturen auf, die durch Variation der Photonenenergie Übergängen unter Beteilung höherliegender Leitungsbandzustände zugeordnet werden.