Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 23: Elektronische Struktur (III)

O 23.11: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 17:00–17:15, H37

Zeitaufgelöste Zweiphotonen-Photoemission von 4H-SiC(0001)-(√3×√3)R30^∘ — •Michael Wiets, Martin Weinelt, Igor L. Shumay und Thomas Fauster — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen- Nürnberg, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen, Germany

In den hier vorgestellten Experimenten wurden verschiedene Oberflächenrekonstruktionen von 4H-SiC(0001) mittels bichromatischer zeitaufgelöster Zweiphotonen-Photoemission (2PPE) untersucht. Schwerpunkt wurde auf die (√3×√3)R30^∘-Rekonstruktion gelegt, deren korrekte Präparation mit Hilfe von LEED und XPS verifiziert wurde. Im 2PPE-Spektrum konnte ein besetzter Oberflächenzustand bei einer Energie von 1.2 eV über dem Valenzbandmaximum identifiziert werden. Seine energetische Lage wurde mittels UPS kontrolliert und mit den aus der Literatur bekannten Daten verglichen [1]. Mit diesen Ergebnissen wird das Modell gestützt, das eine Mott-Hubbard-Aufspaltung des Oberflächenzustands postuliert [2]. Die gemessene Lebensdauer des entsprechenden Übergangs von weniger als 5 fs steht mit der ermittelten Linienbreite von 490 meV in Einklang. Zusätzliche Strukturen im Spektrum sowie der Einfluß der Oberflächenphotospannung werden diskutiert, und ein Vergleich mit den (3×3) und (6√3×6√3)R30^∘ Rekonstruktionen der SiC(0001)-Oberfläche wird durchgeführt.

[1] L. Johansson, F. Owman, P. Mårtensson, Surf. Sci. 360, L478 (1996)

[2] J. Northrup, J. Neugebauer, Phys. Rev. B 57, R4230 (1998)