Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 23: Elektronische Struktur (III)
O 23.8: Vortrag
Mittwoch, 29. März 2000, 16:15–16:30, H37
Photoemission an Cu(110) und Ag(110): Analyse von Linienbreiten zur Bestimmung von d–Loch-Lebensdauern — •A. Gerlach1, K. Berge1, Th. Michalke1, A. Goldmann1, C. Janowitz2 und R. Müller2 — 1Fachbereich Physik, Universität Kassel — 2Institut für Physik, Humboldt Universität Berlin
Die Lebensdauer eines Photoloches im Valenzband kann selbst für einfache Edelmetalle wie Cu oder Ag derzeit nicht berechnet werden. Durch hochaufgelöste Photoemissionsexperimente und eine Analyse der gemessenen Linienbreiten Γm kann in günstigen Fällen der Beitrag des Photoloches Γh bestimmt werden. Tiefliegende Loch–Zustände in den d–Bändern von Cu und Ag (Ei < −2 eV) zerfallen im wesentlichen über Auger–Prozesse. Eine Überprüfung des oft vermuteten aber experimentell nicht verifizierten Zusammenhangs Γh ∝ (Ei −EF)2 wird damit möglich.
Experimentell erfordern unsere Messungen tiefe Temperaturen (T ≤ 30 K) zur Unterdrückung der Loch–Phonon–Streuung sowie die Variation der Photonenenergie zur Auswahl geeigneter Anfangszustände entlang k∥= 0. Die vorgestellten Messungen haben wir am 2m–SEYA–Monochromator bei BESSY I durchgeführt.