Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 24: Rastersondentechniken (III)

O 24.4: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 15:15–15:30, H44

Die Rolle der dangling bonds bei atomarer Auflösung im dynamischen Modus der Rasterkraftmikroskopie — •A. Schwarz, W. Allers, U. D. Schwarz und R. Wiesendanger — IAP, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, D-20355 Hamburg

Für eine korrekte Interpretation von im dynamischen Modus der Rasterkraftmikroskopie gewonnenen Daten auf atomarer Skala ist ein Verständnis des zugrundeliegenden Abbildungsmechanismus von zentraler Bedeutung. Auf der defektfreien InAs(110)-(1x1) Oberfläche konnten wir mit verschiedenen Si-Spitzen drei unterschiedliche Typen atomarer Auflösung beobachten, anhand derer wir den Abbildungsmechanismus auf atomarer Skala und den Einfluß der dangling bonds von Spitze und Probe diskutieren und mit theoretischen Rechnungen vergleichen. Die präsentierten experimentellen Ergebnisse legen nahe, daß der Kontrast in erster Linie von der totalen Ladungsverteilung an der Oberfläche bestimmt wird. Deshalb werden auf InAs(110)-(1x1) die Positionen der Arsenatome immer als Maxima abgebildet. Die drei unterschiedlichen Typen der atomaren Abbildung betreffen hauptsächlich den Kontrast an der Position der Indiumatome, die entweder gar nicht sichtbar sind oder als Minima oder zusätzliche Maxima abgebildet werden. An der Position der Arsenatome wird dagegen nur die Korrugationsamplitude beeinflußt. Diese drei unterschiedlichen Kontraste können mit der Anzahl der Elektronen im dangling bond des vordersten Spitzenatoms erklärt werden. Entsprechend der drei möglichen Besetzungszustände werden über den Arsenatomen andere Ladungsumverteilungen als über den Indiumatomen induziert.