Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 24: Rastersondentechniken (III)

O 24.9: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 16:30–16:45, H44

Nanotribologie verschieden präparierter Silizium-Oberflächen — •A. Opitz, M. Scherge und J. A. Schaefer — TU Ilmenau, Inst. f. Physik, Pf. 100565, 98684 Ilmenau

Mit der Rasterkraftmikroskopie sind neben topografischen Messungen ebenfalls Reibungsmessungen möglich. Diese Reibungsmessungen sollen für verschieden präparierte Silizium-Oberflächen vorgestellt werden. Dazu wurde die Abhängigkeit der Reibung von der Gleitgeschwindigkeit und der Normalkraft untersucht. Die Untersuchungen wurden erstmals im Ultrahochvakuum, in trockener Stickstoff-Atmosphäre und in Luft mit demselben Gerät durchgeführt. Durch Verwendung desselben Gerätes mit der gleichen Spitze können quantitativ vergleichbare Messungen gemacht werden. Anlaß dieser Untersuchungen ist die Erweiterung mikrotribologischer Messungen, welche einen signifikanten Einfluß von durch Wassers hervorgerufenen Kapillarkräften auf die Reibungswerte zeigten, auf den Nanobereich. Die Ergebnisse zeigen, daß die Reibung an Luft für hydrophile, im Ultrahochvakuum jedoch für hydrophobe Silizium-Oberflächen höher ist. Desweiteren wurden Oberflächenmodifikationen mit geringen Reibungswerten gesucht, um den Einfluß des Wassers zu reduzieren.