Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 25: Methodisches

O 25.12: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 17:15–17:30, H45

Geometrische Abbildungsdeformation ein- und zweidimensionaler Strukturen aufgrund von Probenkontaktpotentialdifferenzen im Emissionselektronenmikroskop — •S. A. Nepijko¹, Ch. Ziethen¹, G. Schönhense¹, M. Merkel² und M. Escher² — ¹Johannes Gutenberg-Universität Mainz — ²FOCUS GmbH, 65510 Hünstetten-Görsroth

Es wurden Rechnungen zur scheinbaren Änderung von Größe und Form geometrischer Strukturen auf Oberflächen durchgeführt, die im Emissionselektronenmikroskop (EEM) bei Existenz lokaler elektrischer Feldverteilungen beobachtet wurden. Diese entstehen aufgrund von Kontaktpotentialdifferenzen, wenn die Austrittsarbeit von Materialien auf den Strukturen und der Unterlage verschieden ist. Diese Potentiale stören das homogene elektrische Beschleunigungsfeld zwischen Probe (Kathode) und Extraktorelektrode (Anode) der Objektivlinse im oberflächennahen Bereich, was zur lokalen Deformation der Elektronentrajektorien führt. Je nach Probe und Beschleunigungsspannung wurden Bedingungen gefunden, bei denen diese Effekte keinesfalls unberücksichtigt bleiben können.

Der Mechanismus führt zu einer deutlichen Reduktion der lateralen Auflösung an den Kanten der Strukturen. Weiter wird die Möglichkeit eröffnet, die tatsächliche Größe der Strukturen des Objekts aus der Abbildung im EEM zu rekonstruieren. Die Rechnungen werden mit experimentellen Ergebnissen verglichen.