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O: Oberflächenphysik
O 25: Methodisches
O 25.3: Talk
Wednesday, March 29, 2000, 15:00–15:15, H45
Bestimmung der segregierenden Adlayer Konzentration aus Dotierprofilen — •Michael Oehme, Matthias Bauer und Erich Kasper — Institut fuer Halbleitertechnik, Universitaet Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart
Es wird eine neue Methode zur ex-situ Messung der Adatomdichte
von segregierenden Dotieratomen vorgestellt. Aus einem Dotier-
profil, welches durch SIMS-Analyse gemessen wird, kann mit ihr
direkt die Oberflaechendichte ns als auch die Volumenkonzentra-
tion n bestimmt und somit die Segregationsweite rs berechnet
werden.
In einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage werden auf Si (100)
Substraten dotierte Schichten hergestellt. Beim Wachstum einer
Schicht wird sowohl die Si-Rate R als auch der Dotierfluss F
konstant angeboten. Durch definierte Temperaturspruenge koennen
Dotierprofile erzeugt werden, die es aus einer SIMS-Analyse
ermoeglichen, direkt ns und n in Abhaengigkeit von R, F und der
Wachstumstemperatur TS zu bestimmen. So kann beispielsweise fuer
Bor eine starke Abhaengigkeit der Segregationsweite rs vom ange-
botenen Fluss F bei festem TS ermittelt werden[1].
[1] M.Oehme, M.Bauer, T.Grasby, E.Kasper,
Thin Solid Films, im Druck