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O: Oberflächenphysik

O 25: Methodisches

O 25.3: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 15:00–15:15, H45

Bestimmung der segregierenden Adlayer Konzentration aus Dotierprofilen — •Michael Oehme, Matthias Bauer und Erich Kasper — Institut fuer Halbleitertechnik, Universitaet Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart

Es wird eine neue Methode zur ex-situ Messung der Adatomdichte

von segregierenden Dotieratomen vorgestellt. Aus einem Dotier-

profil, welches durch SIMS-Analyse gemessen wird, kann mit ihr

direkt die Oberflaechendichte ns als auch die Volumenkonzentra-

tion n bestimmt und somit die Segregationsweite rs berechnet

werden.

In einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage werden auf Si (100)

Substraten dotierte Schichten hergestellt. Beim Wachstum einer

Schicht wird sowohl die Si-Rate R als auch der Dotierfluss F

konstant angeboten. Durch definierte Temperaturspruenge koennen

Dotierprofile erzeugt werden, die es aus einer SIMS-Analyse

ermoeglichen, direkt ns und n in Abhaengigkeit von R, F und der

Wachstumstemperatur TS zu bestimmen. So kann beispielsweise fuer

Bor eine starke Abhaengigkeit der Segregationsweite rs vom ange-

botenen Fluss F bei festem TS ermittelt werden[1].

[1] M.Oehme, M.Bauer, T.Grasby, E.Kasper,

Thin Solid Films, im Druck