Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 26: Grenzfläche fest/flüssig

O 26.2: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 11:30–11:45, H36

In-situ STM Untersuchung der elektrochemischen Abscheidung von Cu auf Cu(100) — •Peter Broekmann, Wojciech Lisowski, Hihai Anastasescu und Klaus Wandelt — Institut f*r Physikalische und Theoretische Chemie, Wegelerstr. 12, 53115 Bonn

Mit Hilfe der elektrochemischen Rastertunnelmikroskopie wurde

die Abscheidung von Kupfer auf Cu(100) in 10 mM HBr untersucht.

In verd*nnter Bromwasserstoffsäure adsorbiert das Bromidanion

irreversibel auf der Cu(100) Oberfläche. Selbst bei extrem

negativen Potentialen im Bereich der kathodischen

Wasserstoffentwicklung gelingt es nicht, das Bromid zu

desorbieren.

Für die Abscheidungsexperimente wurden zunächst geringe

Mengen von Kupfer durch anodische Korrosion in Lösung gebracht,

um dann durch Anlegen negativerer Probenpotentiale die

Redeposition in Abhängigkeit verschiedener Depositionsraten

zu charakterisieren.

Für kleine Depositionsraten ergibt sich zunächst eine

bevorzugte Nukleation von Kupfer sowohl an Unter- als auch

an Oberkanten von monoatomar hohen Stufen. Von dort aus wächst

es streifenförmig weiter auf die Terrassen. Für größere

Depositionsraten ergibt sich ein ideales Lagenwachstum.