Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 27: Elektronische Struktur (IV)
O 27.8: Vortrag
Donnerstag, 30. März 2000, 13:00–13:15, H37
Dispergierende Valenzbänder in Quasikristallen ? — •Karsten Horn1, Eli Rotenberg2, Wolfgang Theis3 und Peter Gille4 — 1Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Berlin — 2Advanced Light Source, Lawrence Berkeley Lab, Berkeley, USA — 3Fachbereich Physik der FU Berlin — 4Fachbereich Physik der Ludwigs-Maximilians-Universität, München
Die im Vergleich zu anderen Legierungen ungew*hnlichen physikalischen Eigenschaften von Quasikristallen (wie z.B. niedrige elektrische Leitfähigkeit und ein niedriger Beitrag der Elektronen zur spezifischen Wärme) legen die Frage nach der Struktur der elektronischen Zustände in diesen Materialien nahe. Das Konzept von Elektronenbändern zum Beispiel mußim Lichte der ungewöhnlichen Symmetrie-Eigenschaften (fehlende Translationsinvarianz) adaptiert werden. Wir haben die elektronische Struktur von dekagonalem AlNiCo mit der Methode der winkelaufgelösten Photoemission untersucht, welche bedeutende Beitr*ge zur Bestimmung der Bandstruktur von regulären Kristallen geleistet hat. Unsere Resultate an der zehnzähligen Oberfläche von AlNiCo zeigen, daßentgegen der Annahme von stark lokalisierten Zust*nden deutlich dispergierende Linien im Bereich der Al s-p- sowie der Ni- und Co d-Zustände auftreten, welche die Symmetrie des Quasikrsitalles widerspiegeln. Die Dispersion des breiten Al-abgeleiteten Bandes sowohl für die senkrechte als auch die Parallelkomponente des Elektronen-Wellenvektors kann aus der quasikristallinen Struktur von AlNiCo in der Ebene senkrecht zur zehnzähligen Achse und der regulären Kristallinität entlang der zehnzähligen Achse verstanden werden.