Regensburg 2000 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 3: Epitaxie und Wachstum (I)
O 3.1: Talk
Monday, March 27, 2000, 11:15–11:30, H36
Anisotrope Wachstumsinseln in der Submonolagen-Epitaxie — •Christian Heyn — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg
Die Entwicklung des Länge zu Breite Verhältnisses lX / lY von anisotropen, zweidimensionalen Wachstumsinseln im pre-Koaleszenz Regime wurde mit Hilfe einer kinetischen Monte Carlo Simulation studiert. Die Simulation berücksichtigt anisotrope Energie-Barrieren erstens für die Diffusion freier Adatome und zweitens der Bindungsenergie EN,X, EN,Y zwischen Atomen und Wachstumsinseln (jeweils in X- und Y-Richtung). Temperaturabhängige Simulationen ergeben zwei unterschiedliche Bereiche mit einer Zunahme von lX / lY wenn T unterhalb einer kritischen Temperatur TC ist und einer Abnahme für T > TC. Ein analoges Temperaturverhalten wurde in Experimenten zum Wachstum von Cu auf Pd (110) gefunden [1]. Eine analytische Interpretation der Simulationsdaten zeigt, daß das Verhalten oberhalb der kritischen Temperatur vollständig durch lX / lY = exp[(EN,X − EN,Y) / 3 k T] beschrieben wird. Das bedeutet, in diesem Regime wird die Inselform nur durch die Anisotropie der Rate, mit der sich Atome von Inseln ablagern, bestimmt und die Anlagerungsprozesse sind nicht wichtig. Für T < TC ist das Verhalten komplizierter. Hier steigt lX / lY mit T an und wird sowohl von der Rate der Ablagerungs- als auch von den Anlagerungsprozessen bestimmt.
[1] J. -P. Bucher et al., Europys. Lett. 27, 473 (1994).