O 32: Elektronische Struktur (V)
Donnerstag, 30. März 2000, 16:15–18:30, H37
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16:15 |
O 32.1 |
Elektronische Struktur von reinem und Cs interkaliertem TaSe2 — •Steffen Danzenbächer, S. Molodtsov, F. Schiller, K. Koepernik, Y. Tomm und C. Laubschat
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16:30 |
O 32.2 |
Elektronische Struktur des gestörten Schichtkristalls Td-WTe2 — •J. Augustin, V. Eyert, R. Schardin, T. Stemmler, W. Frentrup, H. Dwelk, C. Janowitz und R. Manzke
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16:45 |
O 32.3 |
Untersuchung kollektiver elektronischer Anregungen an rauhen Ag-Schichten auf Si(111) — •T. Hildebrandt, V. Zielasek, N. Rönitz und M. Henzler
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17:00 |
O 32.4 |
Elektronische und geometrische Struktur der 3C-SiC(001)-c(4×2) Oberfläche — •L. Duda, L.S.O. Johansson, B. Reihl, H.W. Yeom, S. Hara und S. Yoshida
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17:15 |
O 32.5 |
Photoemissionsexperimente am Kondo-Lattice-System CeNi2Ge2 — •D. Ehm, F. Reinert, G. Nicolay, S. Schmidt, Th. Finteis, R. Claessen, C. Geibel, V. Eyert und S. Hüfner
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17:30 |
O 32.6 |
Elektronische Struktur von GaSe(001) Filmen auf Si(111) — •Reiner Rudolph, Christian Pettenkofer, Andreas Klein und Wolfram Jaegermann
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17:45 |
O 32.7 |
Kann die elektronische Bandanpassung an Halbleiter-Heterogrenzflächen durch Dotierung des Substrats beeinflußt werden ? — •A. Klein, E. Wisotzki und W. Jaegermann
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18:00 |
O 32.8 |
In-Situ Photoelectron Spectroscopy Study of a Thin Film Cathode in an Operating Battery System — •Dino Tonti, Christian Pettenkofer, and Wolfram Jaegermann
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18:15 |
O 32.9 |
Adsorption oder Interkalation: Photoemissionsmessmöglichkeiten — •Rainer Adelung, Julia Brandt, Laris Tarcak, Lutz Kipp und Michael Skibowski
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