Regensburg 2000 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 32: Elektronische Struktur (V)

O 32.1: Talk

Thursday, March 30, 2000, 16:15–16:30, H37

Elektronische Struktur von reinem und Cs interkaliertem TaSe₂ — •Steffen Danzenbächer¹, S. Molodtsov¹, F. Schiller¹, K. Koepernik², Y. Tomm³ und C. Laubschat¹ — ¹TU Dresden, FR Physik, Institut für Oberflächenphysik und Mikrostrukturphysik, 01062 Dresden — ²Max-Planck-Institut für Chemische Physik Fester Stoffe, 01062 Dresden — ³Hahn-Meitner-Institut Berlin, 14109 Berlin

Viele Übergangsmetall-Dichalkogenide stellen durch ihre quasi 2-dim. Schichtstruktur sehr gute Modellsysteme zum Studium von niedrig dimensionalen Systemen dar. Einige dieser Kristallsysteme sind durch die Ausbildung von Ladungsdichtewellen unterhalb einer kritischen Temperatur besonders interessant für das Studium der elektronischen Struktur. Darüber hinaus ermöglicht die spezielle Gitterstruktur mit einer großen van der Waals Lücke zwischen den benachbarten Schichten den Einbau von Fremdatomen und Molekülen, wodurch sich deutliche Änderungen in der elektronischen Struktur ergeben. An Hand von Photoemissionsmessungen (Bandstruktur-, Fermiflächen- und Rumpfniveaumessungen) kombiniert mit LEED Untersuchungen an reinen einkristallinen 1T-TaSe₂ und Cs interkalierten Proben wird der Zusammenhang von Kristallstruktur und elektronischer Struktur in diesem Modellsystem erläutert. Durch den Vergleich der experimentellen Daten mit LDA-LCAO Bandstrukturberechnungen kann dabei ein detailliertes Bild dieses Modellsystems erhalten werden.