Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 32: Elektronische Struktur (V)

O 32.2: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 16:30–16:45, H37

Elektronische Struktur des gestörten Schichtkristalls Td-WTe₂ — •J. Augustin¹, V. Eyert^2,3, R. Schardin¹, T. Stemmler¹, W. Frentrup¹, H. Dwelk¹, C. Janowitz¹ und R. Manzke¹ — ¹Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik, Invalidenstraße 110, 10115 Berlin — ²Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin — ³Universität Augsburg, Institut für Physik, Universitätsstr. 1, 86135 Augsburg

Es wird die elektronische Struktur des gestörten Schichtkristalls Td-WTe₂ dargestellt, die mittels winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie (ARPES) in den drei hauptsymmetrischen Richtungen Γ Z, Γ X und Γ Y und mittels Dichtefunktionaltheorie (DFT) in der lokalen Dichteapproximation (LDA) untersucht wurde¹. Die erzielten Ergebnisse liefern einen Überblick sowohl über den Valenz- als auch über den besetzten Leitungsbandbereich nahe der Fermienergie. Speziell die gekühlten, höchstaufgelösten Messungen in den drei hauptsymmetrischen Richtungen zeigen im Vergleich zu den Raumtemperaturmeßdaten eine weiter verbesserte Übereinstimmung mit der Theorie. In Übereinstimmung mit eigenen und bereits früher durchgeführten Transportmessungen² läßt sich eine halbmetallische elektronische Struktur mit charakteristischen Besonderheiten feststellen. Diese Abweichungen sollen diskutiert werden.
¹ J. Augustin, V. Eyert, Th. Böker, W. Frentrup, H. Dwelk, C. Janowitz, R. Manzke, submitted to Phys. Rev. B (1999)
² S. Kabashima, J. Phys. Soc. Jpn. 21(5), 945, (1966)