Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 32: Elektronische Struktur (V)

O 32.4: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 17:00–17:15, H37

Elektronische und geometrische Struktur der 3C-SiC(001)-c(4×2) Oberfläche — •L. Duda¹, L.S.O. Johansson^1,2, B. Reihl¹, H.W. Yeom³, S. Hara⁴ und S. Yoshida⁴ — ¹Experimentelle Physik I, Universität Dortmund — ²Department of Physics, Karlstad University, Sweden — ³Department of Applied Chemistry, University of Tokyo, Japan — ⁴Electrotechnical Laboratory Tsukuba, Japan

In den hier vorgestellten Experimenten wurde erstmalig die elektronische Bandstruktur der Si-terminierten 3C-SiC(001)-c(4×2) Rekonstruktion mittels winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie und Synchrotronstrahlung untersucht. Ein deutlich sichtbarer Oberflächenzustand konnte bei einer Energie von -1.5 eV bezogen auf die Fermi-Energie identifiziert werden. Dieser Zustand zeigt eine Dispersion von 0.2 eV hin zu kleineren Energien. Zwei weitere dispersionslose Oberflächenzustände befinden sich bei Energien von -0.95 eV und -2.5 eV. Die elektronische Bandstruktur ist insgesamt halbleitend und weist große Ähnlichkeiten zu früheren Messungen der 2×1 rekonstruierten Oberfläche auf. Anhand dieser Ergebnisse wird gezeigt, daß die 2×1 Rekonstruktion aus einer ungeordneten und defektreichen c(4×2) Rekonstruktion entsteht. Zusätzlich werden die Dispersionen der drei Zustände mit ab initio Berechnungen der c(4×2) Oberfläche verglichen. Hierbei ergab sich keine zufriedenstellende Übereinstimmung. Eine weitere Strukturaufklärung wird aus diesem Grund anhand der aufgenommenen Si 2p -Spektren der c(4×2)-Rekonstruktion vorgenommen.