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O: Oberflächenphysik

O 32: Elektronische Struktur (V)

O 32.6: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 17:30–17:45, H37

Elektronische Struktur von GaSe(001) Filmen auf Si(111) — •Reiner Rudolph¹, Christian Pettenkofer¹, Andreas Klein² und Wolfram Jaegermann² — ¹Hahn-Meitner Institut, Glienickerstr. 100, 14109 Berlin — ²Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Materialwissenschaft, Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt

Der Schichtgitterhalbleiter GaSe läßt sich mittels van der Waals Epitaxie auf Si(111) epitaktisch abscheiden. Ausgehend von der Si(111)-7×7 Oberfläche erfolgt eine Vorbelegung mit Ga zu einer 6.3×6.3 Rekonstruktion die anschließend mit Se abgesättigt wird. Das LEED- Bild zeigt eine klare schrfe 1×1 Struktur, die einer GaSe Lage mit einer Ga-Si Bindung zugeordnet wird. Mit winkelaufgelöster PES wird die Dispersion der Si-GaSe Lage in Γ-K, -M und -A Richtung vermessen. Aus den Spektren und der Bandstruktur lassen sich Ga-Se Zustände isolieren, die denen im Fetskörper Se-GaGa-Se entsprechen. Der Einfluß des Si Substrates wird in Γ- A Richtung sichtbar, wobei die Ga-Se Strukturen dispersionslos bleiben. Die erhaltenen Spektren der Halblage werden mit Bandstrukturrechnungen und experimentellen Ergebnissen für den GaSe Einkristall verglichen.