Regensburg 2000 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 32: Elektronische Struktur (V)

O 32.7: Talk

Thursday, March 30, 2000, 17:45–18:00, H37

Kann die elektronische Bandanpassung an Halbleiter-Heterogrenzflächen durch Dotierung des Substrats beeinflußt werden ? — •A. Klein, E. Wisotzki und W. Jaegermann — TU Darmstadt, FB Materialwissenschaft, 64287 Darmstadt

Die elektronische Bandanpassung von 2-6 Halbleitern auf Schichtgitterverbindungen wurde mit Photoelektronenspektroskopie untersucht. Aufgrund der hexagonalen Symmetrie der Substratoberflächen ergibt sich ein Wachstum der Schichten in polarer (111) Richtung. Die Bandanpassung ist dabei dominiert durch den Dipol, der sich aus der Stapelung von Kation/Anion Lagen entlang dieser Richtung ergibt. Für p- und n-dotierte Substrate zeigen sich Unterschiede in den Bandanpassungen die zu Abweichungen von der Transitivitätsregel in der Größenordnung eines halben eV führen. Dies könnte auf eine dotierungsabhängige Orientierung des strukturellen Dipols der Schicht hinweisen.