Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 33: Oxide und Isolatoren (II)
O 33.1: Vortrag
Donnerstag, 30. März 2000, 16:15–16:30, H44
Einfluß von Sauerstoffleerstellen und OH-Gruppen auf die Zustandsdichte an der V2O5 (010)-Oberfläche: Theoretische Untersuchungen — •R. Družinić und K. Hermann — Fritz-Haber-Institut, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin-Dahlem.
Die totalen und atomprojizierten Zustandsdichten (DOS, POS) des Valenzbandes bzw. der O1s- und V2p-Rumpfniveaus an der V2O5(010)-Oberfläche wurden theoretisch anhand von Clustermodellrechnungen bestimmt. Dabei erfolgte die Berechnung der elektronischen Parameter im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie, wobei Austausch und Korrelation in lokaler Spindichte- bzw. verallgemeinerter Gradientennäherung berücksichtigt sind. Die berechneten DOS Kurven des Valenzbandes sind in sehr guter Übereinstimmung mit entsprechenden experimentell bestimmten Photoemissionsdaten. Oberflächen-Sauerstoffleerstellen und Oberflächen-OH-Gruppen führen zur Ausbildung zusätzlicher Zustände oberhalb des Valenzbandes, die vom diesen um etwa 2 eV abgespalten sind. Mulliken-Populationsanalysen und Wellenfunktionsplots für die besetzten Orbitale bestätigen, daß dabei hauptsächlich V3d-Zustände der lokal um die Sauerstoffleerstellen lokalisierten V-Atome besetzt werden. Die V2p-Niveaus werden nach Ausbildung einer O-Leerstelle, um etwa 1 eV zu kleineren Bindungsenergien verschoben, was durch elektrostatische Effekte bei der chemischen Reduktion der entsprechenden V-Zentren erklärbar ist.