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Regensburg 2000 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 37: Teilchen und Cluster

O 37.11: Talk

Friday, March 31, 2000, 13:45–14:00, H36

Elektronenemission von langsamen Ar17+ Ionen bei der Wechselwirkung mit einer Si Oberfläche — •Volker Hoffmann, Jan- Hauke Bremer, Martin Grether, Dagmar Niemann und Nikolaus Stolterfoht — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin

Die Wechselwirkung langsamer Ar17+ Ionen mit einer Si

Oberfläche wurde mit der Methode der Elektronenspektroskopie

untersucht. Die kinetische Energie der auftreffenden Ionen wurde

zwischen 17 eV und 170 keV variiert. In den Spektren treten

deutliche Strukturen auf, die L- und K- Auger Übergängen im

hohlen Ar Atom zugeordnet werden können. Dieses bildet sich

nahe der Festkörperoberfläche durch Elektroneneinfang in die

äußeren Schalen. Die gemessenen Augerpeaks spiegeln die

Schalenstruktur und Besetzungsdynamik des hohlen Ar Atoms wieder.

Die Lage der Peaks ändert sich deutlich mit der

Projektilenergie. Der Vergleich mit Modellrechnungen gibt

Aufschluß über den Zerfallsort. Beim Auftreffen des

hohlen, hochangeregten Atoms auf den Festkörper, sind

Veränderungen der Oberfläche zu erwarten. Die Modifikation

der Si Oberfläche durch den Einfluß hohler Ar Atome wurde

mit Rastertunnelmikroskopie (STM) untersucht.

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