DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 3: Epitaxie und Wachstum (I)

Montag, 27. März 2000, 11:15–13:15, H36

11:15 O 3.1 Anisotrope Wachstumsinseln in der Submonolagen-Epitaxie — •Christian Heyn
11:30 O 3.2 Effekte der Kantendiffusion auf die Wachstumsmorphologie in der fcc(111)-Homoepitaxie — •J. Wollschläger, C. Deiter und M. I. Larsson
11:45 O 3.3 Atomare Prozesse beim homoepitaktischen Wachstum auf Al(111) — •Henri Hansen, Carsten Busse und Thomas Michely
12:00 O 3.4 Ab-initio Beschreibung des Anfangsstadiums des Wachstums von Co auf Cu(001) — •Rossitza Pentcheva, Kristen Fichthorn und Matthias Scheffler
12:15 O 3.5 Atomare Austauschprozesse an der Grenzfläche und deren Einfluß auf den Magnetismus ultradünner Ni/Cu(001)-Filme — •J. Lindner, P. Poulopoulos, F. Wilhelm, M. Farle und K. Baberschke
12:30 O 3.6 Einfluß der Laserintensität auf Struktur und Ordnungsgrad laserablierter Eisenfilme auf Cu(100) — •Holger Baier, M. Weinelt und Th. Fauster
12:45 O 3.7 Entstehung und Wachstum von Pyramiden bei der Ni(100) Homoepitaxie — •H. Goldbach und J. Wollschläger
13:00 O 3.8 Wachstum und Struktur dünner Fe-Filme auf Cu(110) — •Christian Pflitsch, Laurens Verheij, Rudolf David und René Franchy
100% | Mobil-Ansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2000 > Regensburg