O 8: Epitaxie und Wachstum (II)
Montag, 27. März 2000, 16:15–19:00, H36
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16:15 |
O 8.1 |
Adatome auf Si(111):Sb, Gleichgewichtslagen und Diffusion — •K. Schroeder, A. Antons, R. Berger und S. Blügel
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16:30 |
O 8.2 |
Ab-initio Untersuchungen der Struktur von Inseln und Stufenkanten As bedeckter Si(111) Oberflächen — •A. Antons, R. Berger, S. Blügel, W. Kromen und K. Schroeder
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16:45 |
O 8.3 |
Wachstum auf einer surfactant-modifizierten Ge/Si(111)-Schicht — •Bert Voigtländer und Nils Theuerkauf
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17:00 |
O 8.4 |
Druckabhängige Strukturen beim CVD-Wachstum von Ge auf Si(111) — •Hubert Rauscher, Jürgen Braun und R. Jürgen Behm
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17:15 |
O 8.5 |
XRD Reciprocal Space Mapping von periodischen Versetzungsnetzwerken — •P. Zahl, M. Kammler, P. Kury, T. Schimdt, J. Falta und M. Horn-von-Hoegen
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17:30 |
O 8.6 |
Wachstum von Halbleitern auf CaF2/Si(111) — •A. Klust, M. Bierkandt, T. Hildebrandt, R. Kayser, J. Wollschläger, T. Schmidt, J. Falta, B. H. Müller und K. Hofmann
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17:45 |
O 8.7 |
Struktur der CaF2/Si(111)-Grenzfläche — •J. Wollschläger, M. Bierkandt, M. Grimsehl, A. Klust, T. Schmidt, J. Falta, B. H. Müller und K. Hofmann
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18:00 |
O 8.8 |
Combined photoluminescence and high resolution electron energy loss spectroscopy study of the formation of ultrathin SiOx on Si(100)-2x1 — •Thomas Bitzer, Neville Richardson, Thomas Dittrich, and Fred Koch
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18:15 |
O 8.9 |
Strukturuntersuchung der SiO2/Si(111) Grenzschicht mittels Photoelektronenbeugung — •S. Dreiner, M. Schürmann, C. Westphal und H. Zacharias
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18:30 |
O 8.10 |
Eisensilizid auf Si(113) und benachbarten Flächen — •Martin Kneppe, Volker Dorna, Evgueni Kot und Ulrich Köhler
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18:45 |
O 8.11 |
Scaling Behavior in Spiral Growth of PbTe (111) under Conditions far from Thermodynamic Equilibrium — •K. Wiesauer and G. Springholz
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