Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (II)

O 8.1: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 16:15–16:30, H36

Adatome auf Si(111):Sb, Gleichgewichtslagen und Diffusion — •K. Schroeder, A. Antons, R. Berger und S. Blügel — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich

Das Wachstum von Heterostrukturen wird durch monolagendicke Fremdatomschichten (surfactants) stark modifiziert. Experimentell ist das Wachstum von Ge auf Si(111):Sb besonders interessant, da trotz der Differenz der Gitterparameter von 4% dicke glatte epitaktische Schichten von Ge aufgebracht werden können, wobei sehr wenig Sb in die wachsenden Schichten eingebaut wird[1]. Eine mikroskopische Erklärung des surfactant-modifizierten Wachstums fehlt bisher. Wir berichten über Ergebnisse zur Kinetik von isolierten Adatomen (Si, Ge) auf der Sb-terminierten Si(111) Oberfläche. Mit Hilfe von ab initio Molekulardynamik im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie mit weichen Pseudopotentialen haben wir die Gleichgewichtslagen der Adatome auf der surfactant-Schicht, die Diffusionsbarrieren und -pfade und von eingebauten Atomen in der surfactant-Schicht berechnet. Wir vergleichen die Ergebnisse mit früheren Rechnungen für das System Si(111):As[2].

[1] D.Reinking, et al., Appl. Phys. Lett. 71, 924 (1997)

[2] K.Schroeder et al., Phys. Rev. Lett. 80, 2873 (1998)