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O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (II)

O 8.2: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 16:30–16:45, H36

Ab-initio Untersuchungen der Struktur von Inseln und Stufenkanten As bedeckter Si(111) Oberflächen — •A. Antons, R. Berger, S. Blügel, W. Kromen und K. Schroeder — Institut für Festkörperphysik, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich

Bei der Untersuchung von Si und Ge auf Si(111):As konnten wir zeigen daß im Gegensatz zu Si die Diffusionbarriere für Ge kleiner als die Barriere für den Austausch mit As ist. Ge Adatome haben somit eine hohe Wahrscheinlichkeit vorhandene Stufenkanten zu erreichen. Unsere ab-initio Berechnungen der Struktur der Stufenkanten ergeben ein Dekorierung der Stufenkanten mit As, die auf eine mögliche Passivierung schliessen lässt[1]. Als günstigste Konfiguration ergibt sich dabei die Ersetzung der exponierten Si Atome der zweiten Lage an den Stufenkanten durch As Atome. Da diese an der (112) Stufenkante natürlicherweise dreifach, an der (112) Stufenkante jedoch nur zweifach koordiniert sind, ergibt sich eine Dimerisierung der As-Atome an der (112) Stufenkante. Weiterhin wird das Wachstum kleiner Inseln und der Übergang in das Doppellagenwachstum untersucht. Alle Rechnungen werden im Dichte-Funktional-Formalismus, in der lokalen Dichte Näherung, mit normerhaltenden, separablen Pseudopotentialen und einem ebenen Wellen-Basissatz auf einem Cray-T3E Parallelcomputer durchgeführt.

[1] E. Kaxiras, Thin Solid Films 272, 386 (1996)