Regensburg 2000 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 8: Epitaxie und Wachstum (II)
O 8.4: Talk
Monday, March 27, 2000, 17:00–17:15, H36
Druckabhängige Strukturen beim CVD-Wachstum von Ge auf Si(111) — •Hubert Rauscher, Jürgen Braun und R. Jürgen Behm — Abteilung Oberflächenchemie u. Katalyse, Universität Ulm, 89069 Ulm
Wir vergleichen das CVD-Wachstum von Ge auf
Si(111) mittels Monogerman (GeH4) als Precursor in zwei
Druckbereichen. Bei Partialdrücken im Bereich von
10−5 mbar findet das Wachstum durch Keimbildung auf den
Terrassen, an Domänengrenzen und, abhängig von ihrer
Orientierung, auch auf Stufenkanten statt. Das Filmwachstum ist
dabei nach 2.5 Doppellagen selbstlimitierend, da die
Dissoziationswahrscheinlichkeit der Germanmoleküle aufgrund der
sich aufbauenden Verspannung in der gewachsenen Schicht gegen Null
geht. Stranski-Krastanov-Wachstum von Ge ist jedoch nach
vorheriger Röntgenbestrahlung des Si-Substrats möglich, da
hierbei Volumendefekte erzeugt werden, die eine weitere
Dissoziation von Germanmolekülen auf der Oberfläche
ermöglichen. Die dabei sich bildenden dreidimensionalen Inseln
weisen je nach ihrer Größe unterschiedliche Formen auf. Bei
Drücken über 10−4 mbar beobachten wir jedoch Bereiche
mit nicht abgebautem Stapelfehler in der benetzenden Ge-Schicht,
auf denen Keime der dritten Ge-Doppellage nukleieren. Weiteres
Wachstum erfolgt durch Bildung dreidimensionaler Inseln.