Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (II)

O 8.5: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 17:15–17:30, H36

XRD Reciprocal Space Mapping von periodischen Versetzungsnetzwerken — •P. Zahl¹, M. Kammler¹, P. Kury¹, T. Schimdt^2,3, J. Falta^2,3 und M. Horn-von-Hoegen^1,3,4 — ¹Universität Hannover — ²Universität Bremen — ³HASYLAB, DESY Hamburg — ⁴Universität GH Essen

Für moderne Heterostrukturbauelemente aus Materialien mit unterschiedlicher Gitterkonstante ist die Art der Gitteranpassung von entscheidender Bedeutung für deren elektronische Eigenschaften. Im Falle der Surfactant-modifizierten Epitaxie von Ge auf Si(111) geschieht die Anpassung über die Ausbildung eines periodischen Netzwerks von Versetzungen in der Si/Ge Grenzfläche. Ein solches periodisches Netzwerk konnte erstmals mit Röntgenbeugung charakterisiert werden. Die überlagerten Verspannungsfelder der Versetzungen modulieren lokal die Gitterkonstanten im Si und Ge was zum Auftreten von Satellitenreflexen um die Braggreflexe führt. Aus dem Abstand der Satelliten kann unabhängig voneinander die mittlere Gitterkonstante des Ge-Films (und damit die Restverspannung), als auch der mittlere Abstand der Versetzungen bestimmt werden. Aus deren Intensität als Funktion des Impulsübertrages können die Fourierkomponenten und somit die 3-dim. Geometrie der periodischen Verspannungsfelder einschließlich der Ordnung des Netzwerkes und der Abnahme der Verspannung innerhalb der Schicht bestimmt werden.