Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 8: Epitaxie und Wachstum (II)
O 8.6: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 17:30–17:45, H36
Wachstum von Halbleitern auf CaF2/Si(111) — •A. Klust1, M. Bierkandt1, T. Hildebrandt1, R. Kayser1, J. Wollschläger1, T. Schmidt2, J. Falta2, B. H. Müller3 und K. Hofmann3 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D–30167 Hannover — 2HASYLAB am DESY, Notkestr. 85, D–22603 Hamburg — 3Institut für Halbleitertechnologie, Universität Hannover, Appelstr. 10, D–30167 Hannover, Germany
Die im Vergleich zu Halbleitern wie Si und Ge kleine Oberflächenenergie von CaF2 führt dazu, daß die CaF2 Schichten von den Halbleitern nicht benetzt werden. Eine Möglichkeit, die Benetzung zu verbessern, ist die Modifikation der CaF2 Oberfläche durch Elektronenbeschuß, wodurch Fluoratome von der Oberfläche desorbiert werden [1].
Die Adsorption von Halbleitern auf dünnen CaF2/Si(111)-Schichten wurde am Beispiel von Ge/CaF2/Si(111) mit stehenden Röntgenwellen (XSW) untersucht. Dabei wurden sowohl unmodifizierte als auch mit niederenergetischen (100 eV) Elektronen beschossene CaF2 Schichten als Substrate verwendet. Die XSW Messungen zeigen, daß die kristalline Qualität des Ge auf den unmodifizierten CaF2 Schichten besser als auf den beschossenen Schichten ist.
[1] J. Wollschläger et al., Appl. Surf. Sci., accepted.