Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 8: Epitaxie und Wachstum (II)
O 8.7: Vortrag
Montag, 27. März 2000, 17:45–18:00, H36
Struktur der CaF2/Si(111)-Grenzfläche — •J. Wollschläger1, M. Bierkandt1, M. Grimsehl1, A. Klust1, T. Schmidt2, J. Falta2, B. H. Müller3 und K. Hofmann3 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D–30167 Hannover — 2HASYLAB am DESY, Notkestr. 85, D–22603 Hamburg — 3Institut für Halbleitertechnologie, Universität Hannover, Appelstr. 10, D–30167 Hannover, Germany
Für die Entwicklung neuartiger elektronischer Bauelemente, z.B. resonanter Tunneldioden, werden ultradünne (ca. 1 nm dicke), epitaktische Isolatorschichten benötigt. Durch die geringe Gitterfehlanpassung von nur 0,5% zu Silicium und die große Bandlücke von 12,4 eV gilt CaF2 als vielversprechender Kandidat für die Herstellung solcher Schichten. Die Grenzflächenstruktur dominiert bedingt durch die extrem kleinen Schichtdicken die elektrischen Eigenschaften der Schichten.
Die Struktur der Grenzfläche zwischen CaF2 und Si wurde mit stehenden Röntgenwellen (XSW) quantitativ bestimmt, wobei als inelastisches Signal Ca 2p und F 1s Photoelektronen benutzt wurden. Da die Ca 2p Linie eine Aufspaltung in Volumen und Grenzflächenbeiträge aufweist [1], konnte die Struktur der Grenzfläche unabhängig von der Volumenstruktur untersucht werden. Der Schwerpunkt der Untersuchungen lag bei Wachstumstemperaturen von 370-500 ∘C. Die Grenzfläche weist selbst bei diesen relativ niedrigen Wachstumstemperaturen eine sehr gute Ordnung auf.
[1] M. Olmstead et al., Phys. Rev. B 35 (1987) 7526.