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O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (II)

O 8.9: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 18:15–18:30, H36

Strukturuntersuchung der SiO₂/Si(111) Grenzschicht mittels Photoelektronenbeugung — •S. Dreiner¹, M. Schürmann¹, C. Westphal² und H. Zacharias¹ — ¹Physikalisches Institut, WWU Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster — ²Universität Dortmund, Lehrstuhl für Experimentelle Physik I, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund

Durch thermische Oxidation erzeugte SiO₂/Si(111) Schichten mit einer Dicke von wenigen Ångström werden mit winkelaufgelöster Photoelektronbeugung (XPD) untersucht. Die am Synchrotron (BESSY II, U 49) gemessenen hochaufgelösten Si 2p-Photoemissionsspektren (hν =155(bzw. 230) eV) zeigen energetisch verschobenen Linien für die verschiedenen Oxidationsstufen [1,2]. Diese weisen unterschiedliche Intensitätsmodulationen als Funktion des Emissionswinkels auf. Die aufgenommenen Photoelektronenbeugungsmuster werden mit Vielfachstreurechnung für Strukturmodell-Cluster verglichen.

[1] F.J. Himpsel et al., Phys. Rev. B 38 (1988) 6084

[2] M.T. Sieger et al., Phys. Rev. Lett. 77 (1996) 2758