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Regensburg 2000 – scientific programme

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SYGU: Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Materialien

SYGU 2: Hauptvorträge

Thursday, March 30, 2000, 15:15–18:00, H4

15:15 SYGU 2.1 Invited Talk: Struktur- und Phasenbildung an Halbleitergrenzflächen — •Michael Seibt
15:45 SYGU 2.2 Invited Talk: Neuartige Methode zur strukturellen Untersuchung innerer Halbleiterheterogrenzflächen — •Wolfgang Stolz
16:15 SYGU 2.3 Invited Talk: Festkörperreaktionen an Metall-Silizid-Grenzflächen — •Hans-Jürgen Hinneberg
  16:45 15 min. break
17:00 SYGU 2.4 Dichtefunktionalstudie des “Titan-Effektes” an Metall/Keramik-Grenzflächen — •C. Elsässer und S. Köstlmeier
17:15 SYGU 2.5 Densification of solution-grown ZrO2 thin films on organic templates — •K. Ritley, K. P. Just, F. Schreiber, H. Dosch, T. P. Niesen, and F. Aldinger
17:30 SYGU 2.6 Schwerioneninduzierter Atomtransport in Metall/SiC — •Ralf Nagel, K. Weyrich, D.H.H. Hoffmann, A.G. Balogh und H. Hahn
17:45 SYGU 2.7 Oberflächenspannungen smektischer Flüssigkristalle — •Ralf Stannarius und Heidrun Schüring
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