Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

SYIS: In-situ-Charakterisierung von Schichtabscheideprozessen

SYIS 2: In-Situ-Charakterisierung: Modellbildung

SYIS 2.1: Invited Talk

Monday, March 27, 2000, 15:45–16:30, H 32

Untersuchungen zum Energieeinstrom bei der plasmagestützten Schichtabscheidung — •H. Kersten, M. Otte, D. Rohde, H. Deutsch und R. Hippler — Universität Greifswald, Institut für Physik, Domstr. 10a, 17487 Greifswald

Die Eigenschaften von im Plasma deponierten dünnen Schichten werden neben anderen Faktoren auch wesentlich durch die Substrattemperatur beeinflußt. Deshalb kommt der experimentellen Bestimmung des integralen Energiestroms auf das Substrat bei der Schichtabscheidung eine wichtige Rolle zu. Die entsprechenden Messungen mit einer dafür konstruierten Thermosonde basieren auf der Bestimmung des zeitlichen Verlaufs der Substrattemperatur während des Depositionsprozesses.
Es werden Untersuchungen an verschiedenen Prozeßplasmen und Schichtsystemen vorgestellt. Dazu gehören u.a. die a-C:H-Deposition aus einem CH₄-ECR-Plasma bzw. durch Magnetronsputtern eines Graphittargets im Ar/H₂, sowie die Bestimmung der Energieflüsse in einem HF-Plasma, das zur Modifizierung von mikrodispersen Pulverteilchen dient.
Die einzelnen Beiträge zur Energiebilanz, wie kinetische Energie der Ladungsträger, Reaktionswärme, Kondensationsenergie ect. werden mit Modellrechnungen verglichen. Die Diagnostik der dafür notwendigen Plasmadaten und die Zusammensetzung der Teilchenflüsse werden aus Langmuir- Sondenmessungen, SEERS, analytischer CCD-Photometrie bzw. massenspektrometrischen Untersuchungen gewonnen.