Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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SYIS: In-situ-Charakterisierung von Schichtabscheideprozessen

SYIS 2: In-Situ-Charakterisierung: Modellbildung

SYIS 2.2: Hauptvortrag

Montag, 27. März 2000, 16:30–17:15, H 32

Modellierung und Experimente zu elementaren Wachstumsprozessen in Niederdruckplasmen — •A. von Keudell — MPI für Plasmaphysik, Boltzmannstr. 2, 85748 Garchingen

Eine Vielzahl von unterschiedlichen Materialien können mittels Niederdruckplasmen abgeschieden werden. Um die zugrunde liegenden Wachstumsprozesse auf mikroskopischer Skala zu beschreiben, gibt es typische Modelle, die sich allerdings zumeist nur auf makroskopische Daten stützen. In diesem Vortrag werden diese Wachstumsmodelle vorgestellt und diskutiert. In beiden Schichtsystemen spielen SiH₃ bzw. CH₃ Radikale eine herausragende Rolle, wobei bei der C:H Abscheidung das zusätzliche Ionenbombardement von zentraler Bedeutung ist. Die Aufklärung der Wachstumsprozesse unter Verwendung von Radikalstrahlen und optischer In-situ- Echtzeit-Diagnostik wird vorgestellt.