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SYIS: In-situ-Charakterisierung von Schichtabscheideprozessen

SYIS 2: In-Situ-Charakterisierung: Modellbildung

Montag, 27. März 2000, 15:45–17:15, H 32

	15:45	SYIS 2.1	Hauptvortrag: Untersuchungen zum Energieeinstrom bei der plasmagestützten Schichtabscheidung — •H. Kersten, M. Otte, D. Rohde, H. Deutsch und R. Hippler
	16:30	SYIS 2.2	Hauptvortrag: Modellierung und Experimente zu elementaren Wachstumsprozessen in Niederdruckplasmen — •A. von Keudell