Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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SYIS: In-situ-Charakterisierung von Schichtabscheideprozessen

SYIS 3: In-Situ-Charakterisierung: Schichtanalytik

SYIS 3.2: Hauptvortrag

Montag, 27. März 2000, 18:15–19:00, H 32

In-situ-Charakterisierung von dünnen organischen Schichten und Polymeroberflächen in Plasmaprozessen — •J. Meichsner — Universität Greifswald, Institut für Physik, Domstr. 10a, 17489 Greifswald

Zur Modifizierung von Oberflächen und zur Herstellung dünner Schichten werden vielfach plasmagestützte Verfahren eingesetzt. Neben der Vielzahl von modernen etablierten Ex-situ-Methoden der Oberflächen- und Dünnschichtanalytik gestattet eine In-situ-Charakterisierung unmittelbar Einblicke in die Dynamik der Wechselwirkungsprozesse Plasma-Materialoberfläche und eine bessere Beschreibung der Schichtwachstumskinetik, der molekularen Struktur der Oberflächenschicht sowie der resultierenden makroskopischen Schichteigenschaften. Neben mikrogravimetrischen Methoden werden insbesondere Spezialverfahren der FTIR-Spektroskopie (ATR, faserbasierte ATR, IRRAS) und der Ellipsometrie (Oberflächenplasmonen-Ellipsometrie) vorgestellt. Wesentliche Prozesse bei der Plasmamodifizierung von Polymeroberflächen (Polyethylen, Polystyren) und der Plasmapolymerisation organischer Gase (siliciumorganische Verbindungen, Styren) werden diskutiert. Dies erfordert eine zeitliche Auflösung im Sekunden- bzw. Subsekundenbereich wie auch einen minimal zu erfassenden Schichtdickenbereich von einigen Atomlagen bzw. im nm-Bereich.