Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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SYUO: Ultrakurzzeitdynamik an Oberflächen

SYUO 6: Poster

SYUO 6.3: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 11:00–19:00, Bereich C

Lebensdauer angeregter Oberflächen- und Bildladungszustände — •Robert Keyling, Wolf-Dieter Schöne und Walter Ekardt — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin

Wir stellen ab-initio Berechnungen der Lebensdauer angeregter Elektronen in Oberflächen- und Bildladungszuständen (realer) Kristalle vor. Die Identifizierung dieser Zustände erfolgt durch den Vergleich mit der Bandstruktur des unendlich ausgedehnten Festkörpers. Ausgangspunkt für die Bestimmung der Quasiteilcheneigenschaften der Oberflächen- und Bildladungszustände im Rahmen der Vielteilchenstörungstheorie ist eine auskonvergierte LDA-Grundzustandsberechnung. Diese Rechnung führen wird mit Hilfe eines Bandstrukturprogramms (fhi96md) unter Benutzung großer Superzellen durch. Daran anschließend wird die volle komplexe Selbstenergie Σ im Rahmen der GW-Näherung ohne weitere Näherungen bestimmt[1]. Durch Lösen der Dysongleichung berechnen wir aus Σ die renormierte Einteilchen-Greensche Funktion. Aus dem Imaginärteil der Greenschen Funktion läßt sich die spektrale Funktion berechnen, aus deren Breite dann die Lebensdauern der Quasiteilchenzustände bestimmt werden können. Wir zeigen Ergebnisse für die Systeme Aluminium und Kupfer und vergleichen sie sowohl mit experimentellen Daten als auch mit Resultaten, die mit Rechnungen unter Zuhilfenahme einfacher Modellpotentiale erzielt wurden.

[1] W.-D. Schöne, R. Keyling, M. Bandić, W. Ekardt, Phys. Rev. B 81, 12344 (1999).