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SYUO: Ultrakurzzeitdynamik an Oberflächen

SYUO 6: Poster

SYUO 6.9: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 11:00–19:00, Bereich C

Zeitaufgelöste Untersuchung Laser–induzierter elektronischer Transportprozesse in Metall–Isolator–Metall–Kontakten — •A. Thon¹, D. Diesing², A. Otto² und W. Pfeiffer¹ — ¹Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany — ²Lehrstuhl für Oberflächenwissenschaft (IPkM), Heinrich–Heine–Universität Düsseldorf, 40225 Düsseldorf, Germany

Zeitaufgelöste elektronische Transportmessungen mit Hilfe von Femtosekunden–Laserpulsen werden eingesetzt um ultraschnelle Ladungsträgerdynamik in Tunnelkontakten zu untersuchen. In den verwendeten Al–Al₂O₃–Ag–Kontakten [1] dient eine 2 nm dicke Al–Oxid–Schicht als Isolator. Die Barrierenhöhe zwischen Ag und Al₂O₃ nach anodischer Oxidation beträgt 3.9 eV. Durch einen 2-Photonenprozess (2× 1.5 eV) angeregte heisse Elektronen sehen eine erheblich niedrigere Barrierenhöhe, ihre Tunnelwahrscheinlichkeit ist entsprechend stark erhöht. Zur Untersuchung dieses Effektes wurde der Tunnelkontakt mit Pump- und Probe-Pulsen aus einem Ti:Sa–Oszillator (80 MHz, 820 nm, 1.5 eV, <1 nJ, 30 fs) beleuchtet. Der lichtinduzierte Anteil des Tunnelstroms wurde mittels Doppel–Modulations–Technik und Differenzfrequenz–Detektion sensitiv nachgewiesen. Erste Ergebnisse aus dem Vergleich dieser Signale mit den parallel gemessenen optischen Autokorrelationen geben Hinweise auf einen Einfluss des Laserlichtes auf den Transportprozess.

[1] D. Diesing et al., Thin Solid Films 342 (1999) 282