Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 1: Schwere Fermionen

TT 1.7: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 11:30–11:45, H20

Re-Entrance-Verhalten beim Wachstum dünner CeSb Schichten — •J. Oster, M. Huth, H. Meffert, P. Haibach und H. Adrian — Institut für Physik, Johannes Gutenberg Universität, 55099 Mainz

Das Kondo-System CeSb besitzt eine geringe Ladungsträgerdichte, zeigt ein komplexes magnetisches Phasendiagramm und zeichnet sich durch eine grosse polare Kerr-Drehung aus. Die Präparation einer Struktur zur Untersuchung des elektrischen Feld-Effektes mit CeSb als Kanalmaterial bietet die Möglichkeit, die mit der Ladungsträgerdichte zusammenhängenden typischen Energieskalen, wie Kondo-Temperatur und Néel-Temperatur, zu variieren, ohne dabei die kohärente Natur des Kondo-Gitters zu stören. Als Vorbereitung hierzu wurden dünne CeSb Schichten mittels Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) auf Al₂O₃ (1120) aufgebracht. Beginnend mit einer Substrattemperatur von 300 ^∘C beobachten wir sowohl eine Verbesserung der in-plane Orientierung als auch eine Abnahme der Mosaizität der Filme bei einer Erhöhung der Temperatur bis auf 950 ^∘C. Das Nukleationsverhalten und die Orientierung der Schichten wird durch das Antimon/Cer-Ratenverhältnis dominiert. Für [Sb]/[Ce] = 1 ist das Wachstum von (111)-orientierten Schichten bevorzugt, während für [Sb]/[Ce] =100… 1000 lediglich das Wachstum von (100)-orientierten Schichten beobachtet wird. Im Bereich 1 < [Sb]/[Ce] < 100 tritt kein CeSb-Wachstum auf. Die magnetischen Eigenschaften wurden anhand von Magnetotransportmessungen an (111)- und (100)-orientierten Proben analysiert.