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TT: Tiefe Temperaturen

TT 14: Wachstum und Transport in dünnen Filmen

TT 14.4: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 15:30–15:45, H19

Sauerstoffdiffusion in verkippten Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ-Schichten — •Th. Zahner¹, R. Rössler², J.D. Pedarnig², D. Bäuerle² und H. Lengfellner¹ — ¹Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg, Germany — ²Institut für Angewandte Physik, Universität Linz, A-4040 Linz, Austria

Dünne (d*0nm), supraleitende (T_c ≈ 85K) Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ-Schichten, deren kristallographische c-Achse mit der makroskopischen Oberflächennormalen einen Kippwinkel α einschließt, wurden durch Pulsed-Laser-Deposition auf off-(001)-axis SrTiO₃-Substraten hergestellt [1]. Charakterisierung durch REM, XRD und richtungsabhängige Widerstandsmessung ergab gleichmäßig verkipptes, orientiertes Wachstum für Schichten mit α ≤ 15^∘ [2]. Die Dynamik der isothermen Sauerstoffdiffusion in den Schichten (200^∘C...400^∘C) wurde mittels Leitfähigkeitsmessung untersucht. Die beobachtete Kippwinkelabhängigkeit der Diffusionszeit erlaubt zusammen mit einem Diffusionsmodell eine Abschätzung der Diffusionwege und eine Bestimmung der in-plane Diffusionkonstanten D_ab=D₀ · exp(−E/k_BT) mit D₀ ≃ 2 × 10⁻⁷ cm²/s und thermischer Aktivierungsenergie E ≃ 0.6 eV.

[1] S.T. Li et al., Appl. Phys. A 63, 427 (1996)

[2] Th. Zahner et al., Physica C 298, 91 (1998) Diese Arbeit wird durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG Le489/6-1) gefördert.