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TT: Tiefe Temperaturen

TT 17: Postersitzung II: Pinning und Vortexdynamik (1-8), Supraleitung: Theorie (9-13), Korrelierte Elektronen (14-48), Niederdimensionale Systeme (49-68), Quantenflüssigkeiten (69-75)

TT 17.57: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:30–18:00, A

Quantenpunktkontakte aus InAs-HEMTs auf GaAs — •Peter Erhart, Andreas Richter, Guido Meier, Toru Matsuyama und Ulrich Merkt — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung,Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg

Wir präsentieren Leitfähigkeitsmessungen von Quantenpunktkontakten aus InAs-HEMTs (HEMTs : high electron mobility transistors) auf GaAs. Unsere mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsenen modulationsdotierten InAs-Heterostrukturen auf GaAs-Substraten weisen mittlere freie Weglängen von über 2 µm bei tiefen Temperaturen auf. Sie sind damit die derzeit höchstbeweglichen Proben in diesem Materialsystem. Es wurden Quantenpunktkontakte einerseits mit Top-Gates, andererseits mit In-Plane-Gates mittels Elektronenstrahllithographie hergestellt. Wir stellen die verschiedenen Präparationsmethoden vor und geben einen Vergleich der Meßergebnisse.