Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
TT: Tiefe Temperaturen
TT 19: Metall-Isolatorüberg
änge
TT 19.1: Invited Talk
Thursday, March 30, 2000, 09:30–10:00, H18
Unordnung, elektronische Wechselwirkungen und der Metall-Isolator-Übergang in Phosphor-dotiertem Silizium* — •Hilbert v. Löhneysen — Physikalisches Institut, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe
Lokalisierung von Elektronen bis hin zu einem Metall-Isolator-
Übergang
(MIÜ) kann durch Unordnung (Anderson-Übergang) und/oder
Elektron-Elektron-Wechselwirkung (Mott-Hubbard-Übergang)
hervorgerufen
werden. Beide Effekte spielen beim MIÜ in hochdotierten
Halbleitern
eine wichtige Rolle, wobei insbesondere Ergebnisse für Si:P
diskutiert werden
sollen. Die statistische Verteilung von Dotieratomen lässt sich mit
dem
Rastertunnelmikroskop auf atomarer Skala nachweisen. Die
langreichweitige
Elektron-Elektron-Wechselwirkung führt auf der metallischen Seite
des
Übergangs zu Altshuler-Aharonov-Korrekturen in der elektrischen
Leitfähigkeit σ(T) und auf der isolierenden Seite zu
Efros-Shklovskii-Variable-Range-Hopping, die on-site-Coulomb-
Abstoßung
zu Kondo-Anomalien und zu einer Hubbard-Aufspaltung. Dies lässt
sich
besonders gut an Messungen der Thermokraft zeigen. Der MIÜ in
Si:P lässt sich als Funktion der P-Konzentration oder - für
isolierende
Proben nahe am Übergang - als Funktion von uniaxialem Druck
S
verfolgen. Das kontinuierliche Durchstimmen des MIÜ an einer
Probe
mittels S erlaubt die Beobachtung dynamischen Skalenverhaltens
von
σ(T,S) und somit eine genaue Bestimmung des kritischen
Exponenten
der Leitfähigkeit µ = 1 und des dynamischen Exponenten z
= 3.
*gefördert durch die DFG im Rahmen des SFB 195