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TT: Tiefe Temperaturen

TT 22: Postersitzung III: Supraleitende Anwendungen (1-4) Massive HTSL, Bandleiter, Filme (5-26), Transport in HTSL (27-30), Elektronenstruktur in Supraleitern (31-43), Borkarbide (44-50), Quantenphasen- und Metall-Isolator-Überg
änge (51-69)

TT 22.19: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–17:30, A

PLD-Apparatur zur Herstellung troepfchenarmer Oxidschichten — •Alfred Plettl, Martin Steck, Silvester Roessner und Paul Ziemann — Abt. Festkoerperphysik, Universitaet Ulm, D-89069 Ulm

Ein experimenteller Aufbau zur Herstellung von Oxidmultischichten mittels Laserablation bei 193 nm wird beschrieben. Um das bekannte Problem der Troepfchenbildung mit der Folge einer hohen Dichte von grossen Partikeln auf der Schichtoberflaeche zu vermeiden, werden mehrere Massnahmen kombiniert: das beschossene Scheibentarget wird rotiert und gemaess einer Wurzelfunktion oszilliert. Die Energiedichte am Target wird mit Hilfe eines Abschwaechers an das jeweilige Material angepasst, sowie homogenisiert durch Abbildung einer gleichmaessig ausgeleuchteten Lochmaske. Zur weiteren Optimierung laesst sich der Abstand Target-Substrat variabel einstellen (30-120 mm). Das Substrat wird direkt von einem CO₂-Laser mit 2d-Scanner unter staendiger Pyrometer-Temperaturkontrolle geheizt. Die Funktion der Apparatur wird mit auf SrTiO₃ gewachsenen YBaCuO-Schichten demonstriert und die Troepfchenarmut durch Vergleich der mit und ohne Schattenmaske (zwischen Target und Substrat) hergestellten Schichten nachgewiesen.