Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
TT: Tiefe Temperaturen
TT 22: Postersitzung III: Supraleitende Anwendungen (1-4) Massive HTSL, Bandleiter, Filme (5-26), Transport in HTSL (27-30), Elektronenstruktur in Supraleitern (31-43), Borkarbide (44-50), Quantenphasen- und Metall-Isolator-Überg
änge (51-69)
TT 22.1: Poster
Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–17:30, A
Optimierung von Josephson-Kontakten für HTC-SQUIDs durch homogene Ionenimplantation — •D. Menzel1, U. Barkow1, J. Schoenes1 und S. S. Tinchev2 — 1Institut für Halbleiterphysik und Optik, TU Braunschweig, Mendelssohnstr. 3, 38106 Braunschweig — 2Institute of Electronics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, Bulgaria
Für kommerziell einsetzbare HTC-SQUIDs ist es notwendig, Josephson-Kontakte reproduzierbar herzustellen. In einem schmalen Bereich des Supraleiters wird dafür durch Beschuss mit schnellen Ionen die Sprungtemperatur lokal unter die Betriebstemperatur von 77 K herabgesetzt. Berechnungen mit dem Programm TRIM 98 ergeben jedoch, dass bei Implantation mit nur einer Ionenenergie eine inhomogene Dotierung erfolgt. Dies wird durch Messungen der diamagnetischen Suszeptibilität als Funktion der Temperatur bestätigt. Wir haben deshalb Implantationsenergien und -dosen verschiedener Ionen für eine homogene Dotierung berechnet und entsprechend implantiert. Die Sprungtemperatur wird bei der Implantation von O+-, Ne+- , Ar+- und N+-Ionen im wesentlichen durch erzeugte Gitterfehler herabgesetzt, bei Al+-Ionen zusätzlich durch deren Platzwechsel mit den Cu-Atomen. Deswegen führt Tempern bei nur 150∘C über 30 Min. bei den inerten Ionen zu einer deutlichen, bei Al+ nur zu einer geringfügigen Erhöhung der Sprungtemperatur. In Fall der Dotierung mit Al+-Ionen kann deshalb eine bessere Langzeitstabilität erwartet werden.