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TT: Tiefe Temperaturen
TT 22: Postersitzung III: Supraleitende Anwendungen (1-4) Massive HTSL, Bandleiter, Filme (5-26), Transport in HTSL (27-30), Elektronenstruktur in Supraleitern (31-43), Borkarbide (44-50), Quantenphasen- und Metall-Isolator-Überg
änge (51-69)
TT 22.30: Poster
Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–17:30, A
Elektronischer Raman-Response in anisotropen Normalmetallen — •Dietrich Einzel — Walther-Meissner-Institut, D-85748 Garching
Dieser Beitrag erweitert die Behandlung des elektronischen Raman–Response anisotroper Normalmetalle mit Störstellen (Zawadowski und Cardona, Phys. Rev. 42, 10732 (1990)). Endliche Wellenzahlen (|q|≪ kF) und ein zweiter Relaxationsmechanismus (z.B. inelastische Elektron–Elektron– Streuung) werden betrachtet. Die Theorie benutzt die Landau–Boltzmann–Gleichung für anisotrope Metalle. Sie berücksichtigt die Coulomb–Abstoßung der Elektronen im Rahmen der RPA und behandelt den Stoßoperator, in dem elastische und inelastische Stoßprozesse additiv auftreten, in einer (Ladungs–) erhaltenden Relaxationszeitnäherung. Die Verallgemeinerung des Lindhard–Mermin–Dichte–Response (N. D. Mermin, Phys. Rev. 1, 2362 (1970)) auf den Raman–Fall sowie Abweichungen von der Matthiessen–Regel beim A1g–Raman–Response werden diskutiert.