Regensburg 2000 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 22: Postersitzung III: Supraleitende Anwendungen (1-4) Massive HTSL, Bandleiter, Filme (5-26), Transport in HTSL (27-30), Elektronenstruktur in Supraleitern (31-43), Borkarbide (44-50), Quantenphasen- und Metall-Isolator-Überg
änge (51-69)

TT 22.32: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–17:30, A

Dotierungsabhängigkeit der Plasmondispersion in Bi₂Sr₂CaCu₂O₈ — •V.G. Grigoryan, G. Paasch und S.-L. Drechsler — Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden, D-01171 Dresden

Die direkte Bestimmung der Lochkonzentration in HTSC als wichtiger die Korrelationseigenschaften des Elektronensystems bestimmender Parameter ist nicht immer möglich. Aufbauend auf [1] wird unter Verwendung von Modellbandstrukturen für Bi2212 die Abhängigkeiten der Plasmondispersion von der Lochkonzentraion berechnet. Es ergibt sich eine klare Dotierungsabhängigkeit der Plasmafrequenz und des Plasmon- Dispersionskoeffizienten. Sie ist besonders stark in der Cu-O Richtung im Fall einer offenen Fermifläche. Damit ergäbe sich prinzipiell die Möglichkeit, die Lochkonzentraion aus der gemessenen EELS-Plasmondipersion zu bestimmen. Dies ist besonders aktuell angesichts mehrerer neuerer, widersprüchlicher ARPES-Messungen, die teils den vorhandenen Konsens über die offene Form der Fermifläche in optimal dotiertem Bi2212 in Frage stellen. Es wird nun gezeigt, daß sich je nach Annahme eines Modells mit geschlossener oder offener Fermifläche völlig unterschiedliche Abhängigkeiten der Anisotropie der Plasmondispersion ergeben. Dies sollte eine unabhängige Bestimmung der Fermifläche im optimal dotierten Zustand ermöglichen.

[1] V.G. Grigoryan, G. Paasch, S.-L. Drechsler, Phys. Rev. B 60, 1340 (1999)