Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 22: Postersitzung III: Supraleitende Anwendungen (1-4) Massive HTSL, Bandleiter, Filme (5-26), Transport in HTSL (27-30), Elektronenstruktur in Supraleitern (31-43), Borkarbide (44-50), Quantenphasen- und Metall-Isolator-Überg
änge (51-69)

TT 22.53: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–17:30, A

Messung der projizierten V3d-Zustandsdichte von VO₂ und V₂O₃ — •M. Schramme, R. Barth, M. Klemm, G. Obermeier und S. Horn — Universität Augsburg, Lehrstuhl für Experimentalphysik II

Das Verhalten der Systeme VO₂ und V₂O₃ wird von elektronischen Korrelationen beeinflußt, die zu einem Übergang von einer metallischen Phase oberhalb in eine halbleitende Phase unterhalb der Übergangstemperatur T_c beitragen. Insbesondere V₂O₃ wird im Rahmen eines Mott-Hubbard-Modells beschrieben, das auf einer Beschreibung der elektronischen Struktur basiert, in dem sich ein Elektron pro V-Atom in einem 2-fach entarteten e_g-Niveau befindet [1].

Bei der polarisationsabhängigen UV-Photoelektronenspektroskopie bestimmt die Symmetrie des Systems Auswahlregeln, die Aussagen über den Charakter der detektierten Anfangszustände ermöglichen.

In der metallischen Phase von VO₂ sind die entscheidenden Symmetrieelemente zwei Spiegelebenen senkrecht zur (110)_rut-Fläche.

Die trigonale Symmetrie der (0001)-Fläche von V₂O₃ erlaubt die Unterscheidung von Bändern mit A_1g- und E_g- artigem Charakter.

Unsere an VO₂ und V₂O₃ erzielten Ergebnisse werden mit Bandstrukturrechnungen [2], [3] verglichen. Für V₂O₃ ergibt sich die Schlußfolgerung, daß die E_g-Bänder doppelt und die A_1g-Bänder unbesetzt sind, so daß die orbitale Entartung als Ausgangspunkt für ein Mott-Hubbard Modell zur Beschreibung von V₂O₃ in Frage gestellt werden muß.

[1] C. Castellani et al., PRB 18, 4945 (1978)

[2] V. Eyert, Habilitationsschrift, Universität Augsburg, 1998